Magnetorresistencia — magnetorresistencia. f. Electr. Propiedad que tienen algunos conductores metálicos o semiconductores de variar su resistencia eléctrica por la acción de campos magnéticos. || 2. Electr. Elemento que posee esa propiedad y que se intercala en un… … Enciclopedia Universal
Magnetorresistencia — La magnetorresistencia es una propiedad que tienen ciertos materiales de variar su resistencia eléctrica cuando son sometidas a un campo magnético. Este efecto fue descubierto por William Thomson en el 1857 aunque no fue capaz de disminuir la… … Wikipedia Español
Magnetorresistencia gigante — Resultados fundadores de Fert et al. La magnetorresistencia gigante(en inglés, Giant Magnetoresistance Effect o GMR) es un efecto mecánico cuántico que se observa en estructuras de película delgada compuestas de capas alternadas ferromagnéticas y … Wikipedia Español
Magnetorresistencia colosal — La magnetorresistencia colosal (CMR) es la propiedad de algunos materiales, principalmente óxidos con estructura de perovskita basados en manganeso) que les permite cambiar considerablemente su resistencia eléctrica en presencia de un campo… … Wikipedia Español
Magnetorresistencia colosal — La magnetorresistencia colosal (CMR) es la propiedad de algunos materiales (principalmente óxidos con estructura de perovskita basados en manganeso) que les permite cambiar dramáticamente su resistencia eléctrica en presencia de un campo… … Enciclopedia Universal
Magnetorresistencia gigante — La magnetorresistencia gigante (GMR) es un efecto mecánico cuántico que se observa en estructuras de película delgada compuestas de capas alternadas ferromagnéticas y no magnéticas. Este efecto se manifiesta como un aumento significativo de la… … Enciclopedia Universal
Espín — Este artículo o sección necesita referencias que aparezcan en una publicación acreditada, como revistas especializadas, monografías, prensa diaria o páginas de Internet fidedignas. Puedes añadirlas así o avisar … Wikipedia Español
MRAM — La MRAM (RAM magnetorresistiva o magnética) es un tipo de memoria no volátil desarrollada desde los años 90. El desarrollo de la tecnología existente, principalmente Flash y DRAM han evitado la generalización de su uso, aunque sus defensores… … Wikipedia Español
Efecto túnel magnético — Saltar a navegación, búsqueda Si se separa a dos ferromagnetos mediante un aislante delgado (alrededor de 1 nm), la resistencia de la corriente de túnel cambia con la orientación relativa de las dos capas magnéticas. La resistencia es normalmente … Wikipedia Español
Peter Grünberg — Saltar a navegación, búsqueda Peter Grünberg Peter Grünberg (Pilsen, actual República Checa, 18 de mayo de 1939) es un físico alemán y uno de los descubridores de la magnetorresistencia gigante … Wikipedia Español