silicio
91aukso-silicio eutektika — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gold silicon eutectic vok. Gold Silizium Eutektik, f rus. эвтектика золота и кремния, f pranc. eutectique or silicium, m …
92skiriamasis polikristalinio silicio sluoksnių dielektrikas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. interpoly dielectric vok. Isolator für Polysiliziumschichten, m rus. диэлектрик, разделяющий поликремниевые слои, m pranc. diélectrique pour couches polysilicium, m; isolant pour couches… …
93vietinis silicio oksidavimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. local oxidation of silicon vok. Lokaloxydation von Silizium, f rus. локальное оксидирование кремния, n pranc. oxydation localisée du silicium, f …
94MOP darinių su plūdriosiomis silicio užtūromis technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon floating gate MOS process vok. MOS Technik mit schwebendem Siliziumgate, f rus. технология МОП структур с плавающими кремниевыми затворами, f pranc. technologie des circuits intégrés… …
95MOP darinių su polikristalinio silicio užtūromis technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polysilicon gate MOS process vok. Polysiliziumgate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с поликристаллическими кремниевыми затворами, f pranc. technologie des structures MOS à… …
96MOP darinių su silicio užtūromis technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f pranc. technologie MOS à grilles de silicium, f …
97MOP darinių su susitapatinančiomis polikristalinio silicio užtūromis technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned polysilicon gate MOS process vok. selbstjustierende MOS Polysiliziumtechnik, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными поликремниевыми затворами, f pranc. technologie de… …
98MOP darinių su vienu polikristalinio silicio sluoksniu technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. single layer polysilicon MOS process vok. MOS Einschichtpolysiliziumtechnik, f rus. технология МОП структур с одним поликремниевым слоем, f pranc. technologie MOS à une couche en polysilicium …
99MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f rus. МОП структура с поликремниевым затвором,… …
100MOP darinys su silicio užtūromis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS; silicon gate MOS structure vok. Siliziumgate MOS Struktur, f rus. МОП структура с кремниевыми затворами, f pranc. structure MOS à grilles de silicium, f …